消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法

本发明提供一种消除深沟槽隔离结构中多晶硅锥形缺陷的方法，该方法包括：提供半导体衬底，并在衬底中形成深沟槽；在深沟槽内表面形成隔离介质层后，采用多晶硅填充深沟槽；关键在于，在对衬底进行化学机械平坦化之前，增加一步对填充了多晶硅的衬底进行退火处理的步骤，以改善多晶硅中心结合界面的结晶状态。本发明通过该退火处理，使多晶硅中心界面再结晶并致密化，保证了后续生长的垫氧化层厚度均匀，从而在有源区刻蚀时避免因刻蚀残留形成锥形缺陷，在不影响其他工艺的前提下，显著提高了隔离结构的可靠性和产品良率。