晶圆结构及接触结构的制作方法

本发明提供一种晶圆结构及接触结构的制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括器件区及边缘区的半导体结构，器件区中形成有多个器件结构，器件区的上表面高于边缘区的上表面，边缘区上表层形成有边缘缓冲层；依次形成覆盖边缘缓冲层上表面的中间层及层间介质结构；形成覆盖器件区正上方的层间介质结构上表面的图案化的遮蔽层，并基于遮蔽层形成接触孔，同时去除边缘区正上方的层间介质结构及至少部分中间层；依次形成位于边缘区正上方且覆盖接触孔内壁和底面的电极缓冲层及填充接触孔的电极层。本发明于形成层间介质结构之前形成位于边缘区正上方的中间层，减少了边缘区正上方的电极缓冲层的剥落，提升了接触结构的性能。