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기록

芯片散热结构及其制备方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

H10W 40/22 (2026.01)H10W 95/00 (2026.01)

本申请提供了一种芯片散热结构及其制备方法,芯片散热结构包括:基板;第一芯片和第二芯片,设置于基板的同一侧,第一芯片的有源面与第二芯片的有源面均朝向基板设置;第一芯片背离基板的一侧表面开设有第一散热通道,第二芯片背离基板的一侧表面开设有第二散热通道;第一散热结构,设置于第一芯片背离基板的一侧,第一散热结构填充第一散热通道;第二散热结构,设置于第二芯片背离基板的一侧,第二散热结构填充第二散热通道;其中,第一散热结构背离基板一侧的表面与第二散热结构背离基板一侧的表面共面。本申请通过共面设计,有助于设置较薄的热界面层,降低了热阻,改善了多芯片集成封装的整体散热效能与可靠性。