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Dossier

半导体材料键合装置、对准方法和校准方法

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10Claims · 1 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

么之光; 高智伟; 母凤文; 谭向虎

IPC Classification

H10W 80/00 (2026.01)H10P 72/30 (2026.01)H10P 72/50 (2026.01)H10P 72/78 (2026.01)

本发明属于键合技术领域,公开了一种半导体材料键合装置、对准方法和校准方法。半导体材料键合装置包括真空腔室、承压单元、施压单元和位置检测单元,真空腔室具有第一腔体和第二腔体;承压单元的基座设置于第一腔体内,运动平台设置于基座上;施压单元的压头设置于第二腔体内且位于基座的正上方,压头用于带动第二半导体材料沿第一方向压向第一半导体材料;位置检测单元位于真空腔室的外面,第一向下检测相机和第二向下检测相机透过第一腔体检测第一半导体材料的标记位置,第一向上检测相机和第二向上检测相机透过第一腔体检测第二半导体材料的标记位置。本发明能够不破坏真空腔室的真空度,减小真空腔室的体积,缩短抽真空的时间。

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