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发热结构体及发热装置
发明专利有效
5权利要求 · 2 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
日置辰视; 岩村康弘; 伊藤岳彦; 山内忍; 高桥智德; 吉野英树
IPC 分类
F24V 30/00 (2006.01)
本申请提供一种能够提升发热体的发热稳定性与可控性的发热结构体及发热装置。发热结构体2具备硅基板13及通过氢的储存与释放进行发热的发热体14,发热体14具有设置在硅基板13上的支撑体61及设置在支撑体61上的多层膜62,支撑体61由多孔体、氢渗透膜及质子导电体之中的至少一者形成,多层膜62具有由储氢金属或储氢合金所形成且厚度小于1000 nm的第一层71,以及由与第一层71不同的储氢金属、储氢合金或陶瓷所形成且厚度小于1000 nm的第二层72。