三维NOR存储器串的环形通道铁电存储器晶体管的存储器结构及制造方法

本发明提供一种存储器结构，其包括经组织为水平NOR存储器串的可随机存取的环形通道铁电存储器晶体管。所述NOR存储器串在半导体基板上方形成于薄膜铁电存储器晶体管的多个可扩展存储器堆叠中。所述三维存储器堆叠在制程中制造，该制程包括在多层膜堆叠中形成孔以用于形成局部字线结构及形成狭缝沟槽以将膜堆叠划分成包括形成于其中的局部字线结构的存储器堆叠。环形通道铁电存储器晶体管的存储器结构致能用于实现高密度、高容量存储器装置的可扩展构造。