化学机械研磨方法、装置及晶圆的制作方法

本发明提供了一种化学机械研磨方法、装置及晶圆的制作方法，属于半导体领域。该化学机械研磨方法包括：提供晶圆；确定晶圆的厚度分布；构建基于研磨液供应量的研磨速率修正模型；根据研磨速率修正模型、晶圆表面的厚度分布及预设的晶圆的目标厚度，调节研磨垫表面不同区域处研磨液的供应量，对所述晶圆进行研磨，使所述晶圆表面的厚度分布满足所述目标厚度。该方法可以通过调控研磨液的供应量，修正研磨过程中耗材以及研磨液分布不均引起的研磨后晶圆表面厚度分布不均匀的问题。