一种解决MEMS流道墨水渗透腐蚀的工艺方法

本发明提供的一种解决MEMS流道墨水渗透腐蚀的工艺方法，在基于叠加工艺制作热发泡喷墨芯片的MEMS阶段制程过程中，采用HDPCVD工艺在墨水流道的侧壁上制作垂直方向TA保护层，可以有效防止墨水渗透进流道的层间间隙，进而延长芯片使用寿命；将采用PECVD制作的TA保护层从TaN电阻上方延展到所有墨水流经区域，防止墨水从顶部对芯片结构产生腐蚀，有效地延长了芯片寿命。