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Dossier
NIFE刻蚀方法
InventionActive
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9Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor
程望阳; 戴有江; 王蕊; 李灵均; 徐衡
IPC Classification
B81C 1/00 (2006.01)
本发明公开了一种NIFE刻蚀方法,其用于MEMS,执行离子束刻蚀包括以下步骤:以第一角度自沿第一方向执行第一时长离子束轰击;以第二角度自沿第二方向执行第一时长离子束轰击;以第三角度自沿第二方向执行第二时长离子束轰击;以第四角度自沿第二方向执行第二时长离子束轰击;其中,第一角度、第二角度、第三角度和第四角度不相同,第一时长大于第二时长,第一方向和第二方向相反。本发明在原有90度/270度主刻蚀之后,追加180度/360度两个对称角度轰击,利用斜向离子束物理溅射把X向侧壁的聚合物彻底去除,阻断后续酸性腐蚀路径,能避免NIFE刻蚀中腐蚀性成分生成,降低X方向噪音,提升良品率。
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