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Dossier
一种通过露点调控优化硅钢抑制剂结构的方法
InventionActive
10Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
郝志圆; 李旦; 张玉; 李晋; 白杰
IPC Classification
C21D 1/18 (2006.01)C21D 1/74 (2006.01)C22C 38/02 (2006.01)C22C 38/04 (2006.01)C22C 38/06 (2006.01)C22C 38/16 (2006.01)C21D 8/1216 (2026.01)C21D 8/1244 (2026.01)C21D 1/26 (2006.01)
本申请属于制造高磁感取向硅钢技术领域,具体涉及一种通过露点调控优化硅钢抑制剂结构的方法,包括:获取硅钢,对硅钢进行常化得到优化硅钢;常化的温度为1080‑1120℃,保温时间为1‑3min,露点为5‑35℃,气氛为氮气,冷却方式具体为:以大于15℃/s的冷却速率快速冷却至室温。本申请采用特定的正露点范围,达到热力学平衡控制,实现“表面微量氧化/内氧化”与“高温脱碳”的协同效应,从而优化抑制剂析出动力学、净化晶界,最终达到大幅提升成品磁性能的目的。
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