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기록

一种晶圆级高取向性一维纳米材料薄膜的制备方法

발명유효
10청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

王振兴; 李淑荟; 王峰; 詹雪莹; 蔡宇晨; 张鹏宇

IPC 분류

C23C 14/24 (2006.01)C23C 14/12 (2006.01)C23C 14/06 (2006.01)C23C 14/18 (2006.01)B82Y 40/00 (2011.01)

本发明涉及一种晶圆级高取向性一维纳米材料薄膜的制备方法,所述制备方法包括在具有平行规律沟槽的衬底表面蒸镀有机分子层,在所述有机分子层上蒸镀纳米材料,得到所述晶圆级高取向性一维纳米材料薄膜,所述纳米线薄膜材料能够从衬底上完整剥离转移到其它衬底上,所述有机分子是具有铆绳结构的长链化合物。所述制备方法能够实现高质量厚度连续可调的晶圆级高取向性一维纳米材料薄膜制备,制备工艺简单,操作便捷且成本低。