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Dossier
填充衬底表面上的间隙的方法
InventionActive
20Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
ASM IP私人控股有限公司
Inventor
须佐吉雄; 德永正树; A·雷姆涅夫
IPC Classification
C23C 16/04 (2006.01)H10P 14/60 (2026.01)C23C 16/26 (2006.01)C23C 16/509 (2006.01)C23C 16/56 (2006.01)C23C 16/455 (2006.01)
提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括：(a)将衬底放置在反应室内的基座上，衬底包括间隙；(b)沉积步骤，包括：使碳前体流入反应室；并且将碳前体暴露于等离子体，其中碳前体反应以形成第一沉积材料；以及(c)处理步骤，包括：在含原子氧气体中退火衬底，以使第一沉积材料在间隙内流动以形成碳膜。
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