一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备。本申请提供了一种管路，包括：管路主体、氮气通气部以及气泵；氮气通气部包括：加热管以及通气片，通气片设有若干孔状结构，通气片安装于管路主体的侧壁，氮气经加热管加热后通过通气片的孔状结构进入管路主体。本申请还提供了一种包括上述管路的次常压化学气相沉积设备。本申请提供的技术方案中，通过加热管对氮气加热后避免了冷凝引起的聚集，同时，分流的氮气可以分散的进入管路中，更有利于管壁的颗粒清除，从而有效降低管路清理频率；解决了现有技术中，沉积设备的管路中附着的材料需要频繁进行清洗维护的技术缺陷。