一种低翘曲外延片结构及其制备方法

本申请公开了一种低翘曲外延片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本申请于垂直式CVD反应腔中，通过自下而上在衬底上依次沉积堆叠形成第一缓冲层、阻障层、第二缓冲层以及外延漂移层，制得了一种低翘曲外延片结构。通过控制原料气体种类、衬底偏角等工艺条件，使得其中第二缓冲层的氮掺杂浓度＜阻障层的氮掺杂浓度＜衬底的氮掺杂浓度＜第一缓冲层的氮掺杂浓度，进而制得一种低翘曲外延片结构，有助于外延片制备工艺能力以及后续器件性能的共同提升。