用于EBSD的电子元器件镶嵌样FIB制样方法

本申请涉及EBSD制样技术领域，公开了用于EBSD的电子元器件镶嵌样FIB制样方法，包括：S1、按照预设要求对样品进行切片处理，采用冷镶嵌的方式对切片处理后的样品进行镶嵌处理，获得镶嵌样品；S2、采用逐级研磨抛光策略对镶嵌样品进行处理；S3、对镶嵌样品进行氩离子束研磨处理；S4、对镶嵌样品进行喷金镀膜处理，完成后将镶嵌样品放入双束电镜中；S5、通过双束电镜对镶嵌样品的EBSD表征区域进行FIB抛光，对表征区域进行EBSD表征。本发明通过制样的整体流程，能够显著降低漂移与荷电影响，提高采集稳定性与一次成功率，实现高复现性与批量一致性，同时缩短制程周期；提高了整体的加工和表征效率。