一种基于富点线面缺陷结构的ZnMn-ZIF多面体衍生物乙酸酐传感器及其制备方法

本发明属于半导体氧化物气体传感器技术领域，具体涉及一种基于富点线面缺陷结构的ZnMn‑ZIF多面体衍生物乙酸酐传感器及其制备方法。本发明的技术方案如下：包括AlO陶瓷管、金电极、镍镉合金加热线圈和ZnMn‑ZIF多面体衍生物敏感材料，两条环状的金电极平行套装在AlO陶瓷管外部，镍镉合金加热线圈设置在AlO陶瓷管内，ZnMn‑ZIF多面体衍生物敏感材料涂覆在所述金电极及AlO陶瓷管外表面；ZnMn‑ZIF多面体衍生物敏感材料具有杂元素掺杂导致的丰富的点缺陷、孪晶晶界导致的线缺陷和褶皱凹槽导致的丰富的面缺陷。本发明制得的传感器对于100 ppm乙酸酐的响应高达2136，检测限为20 ppb。