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기록
相移掩模及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
刘凯鹏; 罗先刚; 罗云飞; 袁理; 魏亚洲; 朱瑶瑶; 郑寒笑; 赵泽宇
IPC 분류
G03F 1/26 (2012.01)G03F 1/68 (2012.01)
本公开提供了一种相移掩模及其制备方法,属于掩模制备技术领域。相移掩模包括:掩模基底,包括第一表面;相移结构,嵌设于掩模基底内;其中,相移结构的暴露表面与掩模基底的第一表面共面;以及掩模图形,覆盖相移结构的暴露表面的预设区域以及掩模基底的第一表面的预设区域。本公开通过将相移结构嵌设于掩模基底内部,并使其暴露表面与掩模基底的第一表面共面,从根本上改变了传统相移掩模的层叠结构,有效避免了掩模膜层对相移材料刻蚀过程的物理阻挡,使得相移结构的形状、尺寸及布局不再受限于掩模图形的开口范围,可依据光学成像需求进行自由优化设计,显著提升了成像分辨率。