降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法

本发明公开了一种降低光刻胶显影后缺陷的方法及半导体结构制作方法，属于半导体领域，本发明将微波加热提前至蒸发显影液工序，并且通入惰性气体减少光刻胶图案内外压差，通过微波加热蒸发半导体结构上的显影液，同时通入惰性气体和开启干燥腔室的抽气装置，将显影液蒸汽抽走，通过惰性气体维持干燥腔室处于微正压状态以保护半导体结构，微波加热在蒸发显影液的同时加热光刻胶使其进一步交联固化；对光刻胶图案清洗以去除蒸发显影液后的残留物。使得本发明将显影液清洗置换、显影液蒸发和硬烘整合为一个工序，最终使得本发明可以缩短硬烘时间甚至去掉硬烘工序，所得光刻胶图案更加致密和坚固，因此在后续清洗过程中也不易造成光刻胶图案坍塌。