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기록

3D NAND闪存的预读处理方法、装置、设备及介质

발명유효
10청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

曾俊; 王勇; 陈鹏全

IPC 분류

G06F 3/06 (2006.01)

本发明涉及3D NAND闪存技术领域,公开了一种3D NAND闪存的预读处理方法、装置、设备及介质,方法包括:实时监测3D NAND闪存的垂直堆叠结构特性,并分析所述3D NAND闪存的数据访问模式得到结构访问数据;获取访问需求中的物理地址的平面编号字段,并根据所述平面编号字段检测数据访问是否在同一平面内;若所述数据访问不在同一平面内,则根据相邻平面的激活状态及历史负载数据预测跨层冲突得到冲突预测结果;根据所述结构访问数据及所述冲突预测结果处理预读任务。本发明有效提升了3D NAND的预读效率。