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Dossier

一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

张尧; 李佳阳; 张帆; 方晓伦; 黄娜; 赵晓东; 赵晓丹

IPC Classification

G06F 30/20 (2020.01)G06F 17/10 (2006.01)

本发明公开了一种适应于双层正交DD线圈的交流电阻解析计算方法,首先选取双层正交DD线圈,确定传导效应校正系数和邻近效应校正系数;然后计算双层正交DD线圈的传导电阻和内部邻近电阻;将所述双层正交DD线圈进行镜像处理,并将所述双层正交DD线圈及其镜像分别划分为多个长直导体段,并将每个导体段进一步划分为多个子段;对于每个子段,计算外部磁场强度,然后根据外部磁场强度和邻近效应校正系数计算所述双层正交DD线圈子段的外部邻近效应电阻,并求和到外部邻近电阻;最后将所述传导电阻、内部邻近电阻和外部邻近电阻相加,得到所述双层正交DD线圈的总交流电阻,本发明能够,能够快速有效的计算双层正交DD线圈的交流电阻。

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