一种阈值可调的神经元器件及其制备方法

本发明涉及一种阈值可调的神经元器件及其制备方法，神经元器件包括MIM结构、加热层和导热层，加热层位于MIM结构的上方或下方，并经过导热层与MIM结构接触，加热层的一端输入电压信号，另一端接地；通过对加热层的输入电压信号进行调整，以产生热场通过导热层作用于MIM结构的功能层，从而调节神经元器件的阈值开关电压。与现有技术相比，本发明同时具备非线性阈值响应与阈值可调特性，有望用于硬件实现生物中的增益调制相关计算。