用于氮化铝钪的漏电流优化方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质

本申请公开了一种用于氮化铝钪的漏电流优化方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，其中，优化方法包括于氮化铝钪薄膜上施加优化应变阈值范围内的面内双轴拉伸应变，本申请实施例中，采用上述的用于氮化铝钪的漏电流优化方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质，基于应变调控下建立的应变‑氮缺陷形成能关系曲线和/或应变‑氮原子键长均方差关系曲线，确定了实现高氮缺陷形成能以及低氮键长无序度的优化应变阈值范围，通过对氮化铝钪薄膜施加特定范围的面内双轴拉伸应变，提升了氮缺陷形成能，有效抑制薄膜生长过程中的氮缺陷生成，同时降低氮原子键长均方差，优化能带结构和载流子输运效率，显著提升氮化铝钪薄膜的防漏电流性能。