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Dossier

一种SiC MOSFET并联应用电路

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

赵凤俭; 单卫平; 赵清; 石小平; 赵海明; 张晨; 徐妙玲

IPC Classification

H02M 1/00 (2007.01)G01K 7/24 (2006.01)H05K 7/20 (2006.01)H03K 17/687 (2006.01)

本发明提供了一种SiC MOSFET并联应用电路,涉及电力电子领域,包括单支路与平均值之差计算电路单元、供电给定调整电路单元、驱动正电平给定电路单元、驱动输出级电路单元、并联MOSFET单元和各支路温度检测电路单元;所述单支路与平均值之差计算电路单元、供电给定调整电路单元、驱动正电平给定电路单元、驱动输出级电路单元、并联MOSFET单元和各支路温度检测电路单元依次电连接,并联MOSFET单元上设有基板或散热片模块;各支路温度检测电路单元的阻值输出端和单支路与平均值之差计算电路单元的反馈端电连接。本发明降低SiC MOSFET 器件并联使用困难性。

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