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Dossier
一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
白忆楠; 张智鹏; 王也; 李晓光; 石帅; 孙运乾; 谷华锋; 欧毅
IPC Classification
H03H 9/19 (2006.01)H03H 9/13 (2006.01)H03H 3/02 (2006.01)H10N 30/082 (2023.01)
本发明提供一种寄生抑制的石英晶振晶片及其制备方法,属于压电晶体器件技术领域,寄生抑制的石英晶振晶片包括:晶片本体,晶片本体包括主要谐振区;电极结构,电极结构位于主要谐振区,电极结构包括两个电极,两个电极沿晶片本体的厚度方向分别位于晶片本体的两侧;至少一个电极设置有凹陷区,凹陷区位于由电极的边框部分围绕形成的中间区域,凹陷区用于抑制主要谐振区的寄生振动扩散。通过电极凹陷区的设置,解决了现有技术中寄生振动抑制效果差以及晶片制备效率低的缺陷,实现了对晶片主要谐振区寄生振动扩散的抑制,同时提高了晶片制备效率。
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