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Dossier
用于Sigma-Delta ADC的高性能栅压自举开关
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
蒙晓; 付博男; 党张喆; 李迪
IPC Classification
H03K 17/687 (2006.01)H03K 17/16 (2006.01)H03K 19/20 (2006.01)H03M 1/38 (2006.01)
本发明属于栅压自举开关技术领域,公开了用于Sigma‑Delta ADC的高性能栅压自举开关,在NMOS型栅压自举开关电路中引入PMOS开关电路,形成互补开关,所述互补开关用于抵消NMOS开关与PMOS开关由于时钟馈通效应导致的输出误差:引入反相器链,在NMOS开关与PMOS开关的输入与输出端利用反相器链加入虚拟管,用于吸收开关管的沟道电荷;将NMOS开关与PMOS开关的衬底电位接入开关电路中,使开关管的衬底电位在GND与输入电压Vin之间切换,本发明在确保采样/保持精度的前提下,抑制开关管中时钟馈通和电荷注入对输出信号带来的干扰,以提高栅压自举开关的线性度。
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