半导体存储装置

实施方式的半导体存储装置具备：第1芯片，包含具有第1区域及第2区域的衬底；及第2芯片，在Z方向上与第1芯片相接，经由设置在与第1芯片的边界区域的多个连接垫与第1芯片电连接；第2芯片包含：存储胞阵列，设置在第1区域，具有源极线、在比源极线更下方的位置沿第1方向彼此分开地设置的多个字线、及上端与源极线连接的存储器柱；多个接点，设置在第2区域，沿第1方向延伸，各自与多个连接垫中的任一个电连接；导电体图案，与多个接点的上端相接；及第1配线层，在导电体图案的上方延伸，与导电体图案电连接。