阻变存储装置及其制造方法

本公开实施例提供一种阻变存储装置及其制造方法，包括：衬底；晶体管，设置于所述衬底的主表面上，且包括栅极、第一极和第二极；以及存储结构，在与所述衬底的所述主表面相交的第一方向上位于所述晶体管的一侧，且包括多个存储元件，所述多个存储元件在平行于所述衬底的所述主表面的方向上并排设置，且各自连接到同一所述晶体管的所述第一极，并与所述晶体管共同构成一阻变存储单元；其中所述多个存储元件各自包括第一电极、第二电极以及阻变层，所述阻变层覆盖所述第一电极的侧壁，且在平行于所述衬底的所述主表面的第二方向上位于所述第一电极和所述第二电极之间；以及所述多个存储元件的第一电极共用第一电极层。