一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法

本发明提供一种集成热熔连接结构的自修复式硅电容器及制造方法，电容阵列通过多个电容单元并联、串联或串并混合连接实现目标电容值；电容单元采用热熔连接结构连接，每个电容单元对应独立的热熔连接结构；热熔连接结构设置于各电容单元的电极互联路径上，热熔连接结构由低熔点导电材料构成，熔断电流阈值低于电容单元介质层的击穿电流；当单个电容单元因静电放电导致介质层永久性短路时，流经该电容单元的电流超过熔断电流阈值，触发对应热熔连接结构熔断，使被击穿电容单元断开隔离，其余电容单元维持电学连接及电容功能。本发明能够在发生静电放电击穿后，屏蔽击穿的电容单元，实现硅电容器的自修复功能，提升硅电容器的静电放电耐性。