一种硅电容及其制备方法

本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供导电衬底并由导电衬底的上表面刻蚀形成多个立柱和围合多个立柱的侧壁，多个立柱之间形成连通的凹槽；在导电衬底上形成介质层；在介质层上沉积上电极；在上电极与导电衬底之间施加直流电压，并利用激光检测所有电容组件中的发热电容，生成发热地图；采用激光按照发热地图中的发热电容切割发热电容处的上电极以剔除发热电容；刻蚀上电极，以使上电极对应每个电容组件形成电极块；在电极块上形成钝化层；刻蚀钝化层并制备引出电极，多个电极块分别与引出电极连接，形成硅电容。该硅电容及其制备方法，能够提高器件整体良率与长期可靠性。