快恢复二极管及其制备方法

本申请公开了一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括衬底、多晶硅层、第一外延层、钝化层、阴极和阳极，所述衬底为高浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅为第一类型掺杂层，所述第一外延层为低浓度第一类型掺杂层，所述多晶硅层位于衬底和第一外延层之间；所述钝化层设置在所述第一外延层远离所述多晶硅层的一侧，所述阴极设置在所述衬底远离所述多晶硅层的一侧，所述阳极设置在所述第一外延层远离所述多晶硅层的一侧；所述多晶硅层中的掺杂浓度大于所述第一外延层中的掺杂浓度，且小于所述衬底中的掺杂浓度。通过上述设计，能够降低快恢复二极管的反向恢复时间。