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기록
高压二极管及其制备方法
발명유효
1조회수
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
출원인
青岛惠科微电子有限公司; 青岛惠芯微电子有限公司; 北海惠科半导体科技有限公司
발명자
杨忠武; 梁洪春; 鲁艳春
IPC 분류
H10D 8/00 (2025.01)H10D 8/01 (2025.01)H10D 62/00 (2026.01)H10D 62/10 (2025.01)H10W 74/10 (2026.01)
本申请公开了一种高压二极管及其制备方法,所述高压二极管包括衬底、外延层、至少一个加强组件和钝化层,所述外延层上设有主结区和至少一个环绕所述主结区设置的分压环;所述加强组件包括浅沟槽、电荷吸附件和绝缘隔离件,所述浅沟槽与所述分压环相邻设置;所述电荷吸附件设置在所述浅沟槽内,用于吸附正电荷;所述绝缘隔离件设置在所述浅沟槽的侧壁和底部,用于隔绝所述电荷吸附件和所述外延层;所述钝化层设置在所述外延层远离所述衬底的一侧,覆盖所述分压环和所述加强组件,并与所述电荷吸附件贴合。通过上述设计,使得高压二极管中分压环的电压承受能力得以提升,降低高压二极管表面存在被击穿的风险。