一种肖特基二极管及其制备方法

本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括重掺杂N型衬底层及形成于其上表面的轻掺杂N型外延层，轻掺杂N型外延层的上部设有沟槽结构，沟槽结构内填充有掺杂多晶硅，掺杂多晶硅为掺杂P型杂质的多晶硅，掺杂多晶硅作为固相扩散源，通过对掺杂多晶硅进行固相扩散，以向轻掺杂N型外延层扩散P型杂质，以于沟槽结构的侧壁和底部形成有P型区。本发明提供的肖特基二极管及其制备方法通过于沟槽结构的侧壁及底部形成P型区，P型区与轻掺杂N型外延层形成耗尽区，形成良好的三维散热渠道，降低散热负担，通过固相扩散形成P型区，相较于离子注入，更容易控制结深。