具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法

本申请提供一种具有屏蔽栅的沟槽栅MOSFET及其制造方法，其中在制造方法中，在屏蔽栅上的隔离介质层表面以及沟槽上半部分侧壁上形成TEOS层，然后进行热退火处理，接着通过湿法刻蚀工艺去除沟槽侧壁上的TEOS层和隔离介质层上靠近沟槽中间的TEOS层，以使未被刻蚀的沟槽侧壁附近的TEOS层呈内凹弧形，从而在沟槽侧壁侧构成弧形拐角，最后在弧形拐角和隔离介质层上形成第二栅氧化层和栅极。本申请通过在隔离介质层上的沟槽侧壁侧形成弧形拐角的TEOS层，可以有效改善栅极底部拐角位置的介质层厚度，从而避免了零栅压漏极电流IDSS漏电导致栅极底部高压击穿的问题，改善了器件的电性能，提高了器件的可靠性。