半导体结构及其制造方法

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。该结构包括衬底、外延层、源漏区及栅极。其特征在于，在贯穿介电层的源极接触孔内部，设置有从源极区向下贯穿外延层并延伸至衬底的源极通孔；导电材料填充所述通孔和接触孔，实现源极区与衬底的电连接。本发明通过源衬短接，解决了现有氮化镓器件因类纵向体效应导致的沟道不稳、栅漏电容大及散热效率低等问题。该结构有效降低了开关损耗，显著提升了散热性能，且无需额外占用芯片面积，减小了器件尺寸。本发明还提供了相应的制造方法。