一种高电子迁移率氧化镓基环栅鳍式晶体管及制作方法

本发明公开了一种高电子迁移率氧化镓基环栅鳍式晶体管及制作方法，主要解决现有同类器件沟道迁移率小，导通电阻大和电流拥挤效应的问题。其包括衬底（1）、阻挡层（2）、沟道层（3）、沟道层外环和中心区域的源漏电极（4，5）、源漏电极之间的栅介质层（6）及部分栅介质层上方的环形栅电极（8），该源、漏电极之间的沟道层和部分阻挡层中贯穿有沿着径向均匀排列的若干凹槽（9），相邻凹槽之间的沟道层形成Fin沟道（10），该凹槽对应的部分栅介质层上设有磁性薄膜层（7）。本发明通过磁性薄膜层可为沟道提供环形磁场，对运动电子施加自下而上的洛伦兹力，使沟道电子在此洛伦兹力和电场力的协同作用下进行方向性运动，减小导通电阻，提升器件的载流子迁移率，可用作电力电子器件。