高电子迁移率氧化镓基横向FinFET器件及制备方法

本发明公开了一种高电子迁移率氧化镓基横向FinFET器件，主要解决现有同类器件沟道迁移率小，导通电阻和热阻效应大的问题。其自下而上包括衬底（1）、阻挡层（2）、沟道层（3），该沟道层（3）采用Fin结构，其两端分别为源电极（4）和漏电极（5），源、漏电极之间为栅介质层（6）和栅电极（8）；所述Fin沟道层之间凹槽对应的栅介质层上设有磁性薄膜层（7），用于在沟道中提供磁场力，为运动电子施加自下而上的洛伦兹力，使沟道电子在此洛伦兹力与电场力的协同作用下进行方向性的运动，以减小电子碰撞和散射几率，提高器件的载流子迁移率。本发明能在不增加工艺复杂度的条件下，有效降低器件的导通电阻和热阻效应，可用作电力电子器件。