一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法

本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域，器件从下至上包括：漏极金属、N+型碳化硅衬底、第一N‑型碳化硅外延层、第二本征型碳化硅外延层、层间绝缘介质和源极金属；在第二本征型碳化硅外延层内有P型体区和N+型源区，N+型源区旁有P+型源区；有纵向沟槽贯穿第二本征型碳化硅外延层至第一N‑型碳化硅外延层内，纵向沟槽底部和至少部分侧壁被P‑型柱区包覆；纵向沟槽内有被层间介质隔离分立的上多晶硅和下多晶硅，上多晶硅上表面被层间绝缘介质覆盖，侧面被栅氧化层包覆；下多晶硅两侧和底部被屏蔽栅氧化层包裹，从而与P‑型柱区隔离。本发明能保护屏蔽栅氧化层，提高器件可靠性，降低器件导通电阻。