一种IGBT器件及其制备方法

本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括半导体层、第一和二沟槽、栅介质层、栅导电层、发射区、层间介质层、接触孔、接触区、集电区及各电极，其中，半导体层包括层叠的衬底及基区；第一沟槽贯穿基区；栅介质层和栅导电层填充第一沟槽；第二沟槽位于栅导电层中；发射区位于所述基区上表层；层间介质层填充第二沟槽并覆盖基区和栅导电层上表面；接触孔位于在X方向相邻两第二沟槽之间的层间介质层中；接触区位于接触孔底面显露的半导体层上表层；集电区位于衬底下表层；各电极分别与器件的相应区域电连接。本发明通过于栅导电层中形成第二沟槽并利用层间介质层填充第二沟槽，降低了接触孔制作难度，提高了器件的良率与性能。