一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法

本发明提供一种基于射频数模混合的多模芯片制备方法，涉及集成电路制造工艺技术领域，所述方法包括：在P型硅衬底上外延生长III‑Ⅴ族化合物层形成高迁移率沟道，同步在射频与数字电路交界区刻蚀1.5微米深槽隔离沟槽并构建双阱结构，输出总噪声隔离值≥36分贝的隔离基底结构；以隔离基底结构为载体，嵌入钽基隔离墙构建含三级级联PA的1T2R射频通道，并通过重布线层直连ADC与接收通道，输出终端射频结构体，包括三级级联PA发射通道、双接收通道结构和采样抖动小于200飞秒的混合信号接口。本发明通过12nmFinFET工艺实现射频与基带数模混合集成，提升芯片集成度、噪声隔离能力、信号传输、散热性能及可靠性。