一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件及其制作方法

本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器件，包括MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层和接触孔；接触孔包括SBR结构区和金属柱；SBR结构区包括底部介质层、SBR金属栅极和SBR栅介质层；体区通过体接触区与金属柱形成欧姆接触，还分别与金属柱和SBR栅介质层连接。本发明另一方面公开了上述器件的制作方法，包括以下步骤：在外延层上制作MOS沟槽栅；设置体区、源区、隔离层和接触孔；在接触孔设置底部介质层和第一介质层；沉积SBR金属栅极；设置体接触区；蚀刻第一介质层和SBR金属栅极形成SBR结构区；设置金属柱和金属层。本发明的寄生结构不单独占用有源区的元胞结构，且每个MOS元胞都设置有相邻的具有寄生结构的接触孔，提升有效性能。