具有金属栅极的半导体器件及其形成方法

本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件及其形成方法，伪栅结构具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸；氧化伪栅结构的两侧侧壁形成氧化层，一侧氧化层的第二关键尺寸为第一关键尺寸与目标关键尺寸之差的一半；氮化伪栅结构的侧壁的氧化层形成氮氧化层，氮氧化层具有第三关键尺寸，第三关键尺寸小于等于第二关键尺寸；去除伪栅结构，以形成具有目标关键尺寸的沟槽，且完整保留伪栅结构的侧壁的氧化层和氮氧化层；形成金属栅极，金属栅极位于沟槽内且具有目标关键尺寸。本发明意想不到的效果是，伪栅结构的关键尺寸更大，伪栅结构的深宽比更小，能够改善栅极倒塌缺陷，在不购入更高工艺配置机台的情况下，达到下一代晶体管关键尺寸工艺要求。