一种半导体结构及其制造方法

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形成第一凹槽；对所述第一凹槽进行干法刻蚀，形成第二凹槽；对所述第二凹槽进行湿法刻蚀，形成西格玛沟槽；在所述西格玛沟槽中进行锗硅外延生长，形成锗硅外延层。该方法可显著降低刻蚀对栅极上方及侧墙硬掩膜的消耗，保护栅极上方的硬掩膜，还可以控制锗硅关键尺寸的一致性。