一种GaO基线偏振日盲探测器和偏光计

本发明公开了一种GaO基线偏振日盲探测器和偏光计，GaO基线偏振日盲探测器主要包括：Si/SiO或另一PDMS衬底、基于传统机械剥离法制备的β‑GaO薄膜、利用电子束光刻或热蒸发的方法制备的双叉指金电极。上述的Si/SiO或另一PDMS衬底作为最下层的承载物，β‑GaO薄膜作为中间的光敏层，双叉指金电极在最上层吸收β‑GaO薄膜的光生载流子。通过施加一定入射功率密度的紫外线偏振光照射在本发明的GaO基线偏振日盲探测器上，测量其透射光谱及其他性能表征数据，可有力证明此GaO基线偏振日盲探测器具有高偏振敏感的日盲光响应。