一种倒装LED芯片及其制备方法

本发明涉及LED的技术领域，本发明公开了一种倒装LED芯片及其制备方法，所述倒装LED芯片包括依次层叠的衬底和外延层，外延层上设置有电流阻挡层、透明导电层、N型电极、P型电极和钝化层，透明导电层覆盖所述电流阻挡层，钝化层设置于透明导电层上，其中，透明导电层包括第一透明导电子层和第二透明导电子层，第二透明导电子层在第一透明导电子层上形成凸起结构，P型电极设置于P型电极区，P型电极区位于所述透明导电层的第一透明导电子层上。实施本发明，可以增强透明导电层与钝化层之间的附着力，降低钝化层从透明导电层上脱落的可能性，并且改善发光效率。