一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法

本发明属于有机量子电子器件领域，具体涉及一种基于有机量子阱的有机二极管或有机场效应晶体管及其制备方法。所述有机量子阱为由依次设置的C6‑DPA层、TIPS‑PEN层与C6‑DPA层构成的I型量子阱。由该有机量子阱制备的二极管首次实现室温NDR效应，实现宏观可观测的负微分电阻。由该有机量子阱制备的有机场效应晶体管具有超高迁移率，为传统有机场效应晶体管的3‑5倍，实现有机电子器件在量子输运和高迁移率方面的双重突破，为柔性显示、可穿戴传感和低功耗逻辑电路提供了全新的材料体系。