一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法

一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2‑bit向量乘积的方法，器件背栅和背栅介电层为最底层，背栅介电层与底电极相连，底电极、中间电极、顶电极之间各有一层阻变层，中间电极分为左中间电极和右中间电极。所述的顶电极、中间电极、底电极及阻变层堆叠行成第一、第二、第三及第四4个RRAM，其中第三RRAM由左中间电极通过通孔与底电极和顶电极相连形成。其余三个RRAM根据权重设置为对应的低/高阻态，再输入11、10、01、00不同的2‑bit信号，得到对应的电流大小，从而实现2‑bit向量乘积。本发明提高了信号容量，降低了对器件归一性的要求，提高了计算速度，面积效率得到提高，实现2‑bit的储存和向量乘积，适用于神经网络学习。