栅极氧化层及栅极的制备方法

本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，在形成第一栅极氧化层后，通过在第二功能区的第一栅极氧化层表面上形成抑制ALD材料层，该抑制ALD材料层可以有效抑制ALD工艺在其表面成膜，所以ALD工艺形成的第二栅极氧化层会在第一功能区成膜而不会在第二功能区生长，从而实现第一功能区和第二功能区厚度不同的栅极氧化层的制备。该制备过程避免了一次采用热氧化工艺形成栅极氧化层的步骤，有效降低了热氧化工艺的热预算对器件离子注入区域结深的影响；另外，不需要对第二功能区上的第一栅极氧化层进行刻蚀，从而避免了刻蚀时刻蚀液与第二功能区上器件结构接触造成的损伤，抑制器件性能劣变。