一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜

本申请提供了一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜，该方法包括构建至少两个级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块，根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果；构建增强图像获取模块、至少两个级联的第二类残差模块、第二刻蚀误差预测模块，根据增强特征图产生第二刻蚀误差预测结果；构建刻蚀误差加权模块，产生刻蚀误差预测结果；构建刻蚀参数自适应调节模块，根据刻蚀误差预测结果进行刻蚀控制。本申请能够自适应地快速、准确得调节刻蚀参数，提高刻蚀控制柜的控制精度和控制效率，满足先进制程对刻蚀精度和效率的需求。