一种半导体的刻蚀方法及等离子体设备

本发明提供一种半导体器件的刻蚀方法及等离子体刻蚀设备，该刻蚀方法包括：提供半导体器件：半导体器件的表面具有高介电常数材料层；改性刻蚀步：向腔室通入含氯基气体的工艺气体，通过激励射频功率电离形成等离子体，对高介电常数材料层进行各向同性改性刻蚀，以形成改性层；清理步：向腔室通入含惰性气体和氯基气体的工艺气体，通过激励射频功率电离形成等离子体，各向同性刻蚀去除改性层，直至露出高介电常数材料层。以高介电常数材料层为氧化铪层为例，本发明可以实现各向同性改性刻蚀氧化铪层以形成改性层以及各向同性刻蚀去除改性层，从而可以保持氧化铪层的介电性能的稳定性。