一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法

本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种针对表面有厚金属层的三维闪存晶圆的切割方法。具体方法流程如下：S1，提供晶圆；S2，在晶圆表面贴附一层研磨胶膜；S3，对晶圆进行预研磨；S4，将晶圆背面朝上，贴有研磨胶膜的正面吸附在隐形激光切割机的工作台面上；S5，用隐形激光切割的方法沿着晶圆上的横向和纵向的切割道进行切割；S6，对贴附研磨胶膜后的晶圆进行减薄处理；S7，在研磨后的晶圆背面贴上背面胶膜并固定在铁环上；S8，揭除掉晶圆表面的研磨胶膜。同现有技术相比，针对表面有厚金属层的晶圆，在不借助其他工艺流程的前提下，用激光隐形切割的方式将晶圆上的芯片完全切开，且分开的芯片不出现切痕偏移的现象。